英飞凌的强IRFET该系列针对低R进行了优化DS公司（开）和高电流能力。该产品组合提供了改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性，非常适合于工业低频应用，包括电机驱动、电动工具、逆变器和电池管理，其中性能和耐用性至关重要。
IRF100P218XKMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 209A（Tc） 最大功耗: 556W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥18.20865
-
数量:
- +
- 总计: ¥18.21
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 209A（Tc）
- 供应商设备包装 TO-247AC
- 包装/外壳 至247-3
- 部件状态 过时的
- 最大功耗 556W (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 278A
- 导通电阻 Rds(ON) 1.28欧姆@100A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 555 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25000 pF @ 50 V
IRF100P218XKMA1 产品详情
强IRFET™ 功率MOSFET，英飞凌
IRF100P218XKMA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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IRF100P218XKMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF100P218XKMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF100P218XKMA1价格参考￥18.208651，你可以下载 IRF100P218XKMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF100P218XKMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
