9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7811AVTRPBF-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7811AVTRPBF-1参考价格为2.242美元。Infineon Technologies IRF7811AVTRPBF-1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO。您可以下载IRF7811AVTRPBF-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRF7811AVTRPBF-1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRF7811AVPBF是MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC，包括管封装，它们设计为以0.019048盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOIC-8等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供3.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为14 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为14mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为8.6ns，Qg栅极电荷为17nC，沟道模式为增强。
IRF7811AVTR是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC。IRF7811AVTR以SO-8封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 10.8 A 8-SOI、N沟道30V 10.8A（Ta）2.5W（Ta）表面安装8-SO。
IRF7811AVTRPB，带有由IR制造的电路图。IRF7811AVTRPB在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
