9icnet为您提供由onsemi设计和生产的ECH8601M-C-TL-HX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ECH8601M-C-TL-HX参考价格为1.468美元。onsemi ECH8601M-C-TL-HX封装/规格：MOSFET N-CH 24V 8A ECH8。您可以下载ECH8601M-C-TL-HX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ECH8503-TL-H是TRANS 2PNP 50V 5A 8ECH，包括ECH8503系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线、安装类型设计用于表面安装，以及8-ECH供应商设备封装，该器件还可以用作1.6W最大功率。此外，晶体管类型为2 PNP（双），该器件提供5A集流器Ic Max，该器件具有50V的集流器-发射极击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@500mA，2V，Vce饱和最大Ib Ic为190mV@125mA，2.5A，集流器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为280MHz，Pd功耗为1.3W，集电极-发射极电压VCEO Max为-50V，晶体管极性为PNP，发射极基极电压VEBO为-6V，连续集电极电流为-5A，直流集电极基极增益hfe Min为200。
ECH8601M-C-TL-H是MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8，包括8-ECH供应商器件封装，它们设计为在23 mOhm@4A、4.5V Rds On Max Id Vgs下工作，数据表中显示了用于1.5W的最大功率，提供了磁带和卷轴（TR）等封装功能，封装外壳设计为在8-SMD、扁平导线中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，栅极电荷Qg Vgs为7.5nC@4.5V，该器件为2 N沟道（双）公共漏极FET型，该器件具有逻辑电平门、2.5V FET驱动功能，漏极到源极电压Vdss为24V，电流连续漏极Id 25°C为8A。
ECH8601，带有SANYO制造的电路图。ECH8601采用TSSP-8封装，是IC芯片的一部分。
