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FDD16AN08A0是MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK,包括卷轴封装,它们设计用于与FDD16AR08A0_NL部件别名一起工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.009184盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于to-252-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管型,该器件具有135 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为22 ns,上升时间为54 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为50 a,Vds漏极-源极击穿电压为75V,Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为32ns,典型接通延迟时间为8ns,沟道模式为增强型。
FDD16AN08_F085,带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDD16AN08_F085采用TO-2523L(DPAK)封装,是IC芯片的一部分。
FDD16AN08A,带有FAI制造的电路图。FDD16AN08A在TO252封装中提供,是FET的一部分-单。