9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDD45AN06LA0_F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDD45AN06LA0_F085参考价格$3.2。onsemi FDD45AN06LA0_F085封装/规格：MOSFET N-CH 60V 5.2A/25A TO252AA。您可以下载FDD45AN06LA0_F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FDD4243是MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为3W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为1550pF@220V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为6.7A（Ta）、14A（Tc），最大Id Vgs为44mOhm@6.7A、10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为29nC@10V，Pd功耗为42W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7ns，上升时间为15ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为6.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Rds导通漏极-漏极电阻为44mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型导通延迟时间为6ns，正向跨导最小值为16S，信道模式是增强。
带有用户指南的FDD4243_F085，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如6 ns，典型的关闭延迟时间设计为22 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在15 ns上升时间内提供，器件具有44 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为42 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-14 A，正向跨导最小值为16 S，下降时间为7 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FDD45AN06A0，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDD45AN06A0采用TO-252（DPAK）封装，是IC芯片的一部分。
FDD45AN06LA0是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 25A DPAK。FDD45AN06LA0可用于TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 25A DPak、N沟道60V 5.2A（Ta）、25A（Tc）55W（Tc。
