9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDD7030BL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDD7030BL参考价格为1.524美元。onsemi FDD7030BL封装/规格：MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK。您可以下载FDD7030BL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD6N50TM_WS，带有引脚细节，包括UniFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为89W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为9400pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为900 mOhm@3A，10V，Vgs最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为16.6nC@10V，Pd功耗为89 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为55ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为760mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型导通延迟时间为6ns，沟道模式为增强型。
FDD6N5TM，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDD6N5TM采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
FDD7030是FSC制造的MOSFET N-CH 30V 14A DPAK。FDD7030有TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 14A DPak。
