9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDD60N360U1-1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NDD60N360U1-1G参考价格为1.08000美元。onsemi NDD60N360U1-1G封装/规格：MOSFET N-CH 600V 11A IPAK。您可以下载NDD60N360U1-1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NDD04N60ZT4G是MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.139332盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63等封装盒功能，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数量为1信道，该设备在DPAK-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为83W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为640pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.1A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为2 Ohm@2A，10V，Vgs最大Id为4.5V@50μA，栅极电荷Qg Vgs为29nC@10V，Pd功耗为83 W，Id连续漏极电流为4.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5 V，漏极-源极电阻Rds为1.8欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为19nC，正向跨导Min为3.3S。
NDD05N50ZT4G是MOSFET N-CH 500V 5A DPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为24 ns，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，上升时间为15纳秒，器件的漏极-源极电阻为1.5欧姆Rds，器件具有28 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为83 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为3A，并且正向跨导Min为3.5S，并且下降时间为14ns。
NDD04N60ZG，带有ON制造的电路图。NDD04S60ZG采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
NDD05N50Z-1G是ON公司制造的MOSFET N-CH 500V 5A IPAK。NDD05N40Z-1G1可提供TO-251-3短引线、IPAK、TO-251AA封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH500V 5A IPA、N-通道500V 4.7A（Tc）83W（Tc）通孔I-Pak、Trans-MOSFET N-CH500 4.7A 3引脚（3+Tab）IPAK管。
