9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2004TK，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2004TK参考价格为7.328美元。Diodes Incorporated DMP2004TK包装/规格：DIODE。您可以下载DMP2004TK英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP2004DWK-7是MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363，包括DMP2004系列，它们设计用于带卷（TR）封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，以及Si技术，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-363，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为250mW，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为175pF@16V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为430mA，最大Id Vgs上的Rds为900mOhm@430mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为250mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏极电流为430 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1 V，Rds漏极源极电阻为900 mOhm，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强型。
DMP2004K-7是MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在8 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.000282盎司，晶体管类型设计为在1个P沟道中工作，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为SOT-23-3，该设备在DMP2004系列中提供，该设备具有900 mOhm@430mA、4.5V的Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为900 mOhms，最大功率为550mW，Pd功耗为550 mW，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-2、，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为175pF@16V，Id连续漏电流为600mA，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为600mA（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
DMP2004K，电路图由DIODES制造。DMP2004K在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
DMP2004K-7-F，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMP2004K-7-F以SOT23-3封装形式提供，是IC芯片的一部分。
