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FDD4685-F085P

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 83W (Tj) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 185

  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.60744
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥482.38
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规格参数

  • 包装数量 -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 32A (Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27 nC@5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 27毫欧姆@8.4A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2380 pF@20 V
  • 最大功耗 83W (Tj)

FDD4685-F085P 产品详情

该P沟道MOSFET采用专有的PowerTrench®技术生产,以提供低rDS(导通)和良好的开关特性,在应用中提供优异的性能。

特色

  • VGS=-10V,ID=-8.4A时,最大rDS(开)=27mΩ
  • VGS=-4.5V,ID=-7A时,最大rDS(开)=35mΩ
  • 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDD4685-F085P所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDD4685-F085P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD4685-F085P价格参考¥2.607444,你可以下载 FDD4685-F085P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD4685-F085P规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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