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BSP250115是MOSFET P-CH 30V 3A SOT223，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于to-261-4、to-261AA封装盒，其工作温度范围为150°C（TJ），提供安装类型功能，如表面安装，供应商器件封装设计用于SC-73，以及MOSFET P沟道、金属氧化物FET类型，该器件还可以用作1.65W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供250pF@20V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为3A（Tc），最大Id Vgs的Rds为250mOhm@1A，10V，Vgs th最大Id为2.8V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@10V。
BSP250135是MOSFET P-CH 30V 3A SOT223，包括2.8V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于SC-73供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于250 mOhm@1A，10V，提供功率最大特性，如1.65W，封装设计用于Digi-ReelR备用封装，以及to-261-4，to-261AA封装盒，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供250pF@20V输入电容Cis Vds，器件具有25nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为3A（Tc）。
BSP254是NXP制造的MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54。BSP254在TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成型引线封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54。
BSP254A是PHILIPS制造的MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54。BSP254A在TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成型引线封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54。
