9icnet为您提供由Littelfuse股份有限公司设计和生产的MG1250S-BA1MM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。MG1250S-BA1MM参考价格为338.708956美元。Littelfuse股份有限公司MG1250S-BA1MM封装/规格：IGBT模块1200V 80A 500W S3。您可以下载MG1250S-BA1MM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MG1240H-XBN2MM，带引脚细节，包括MG1240H-XBN2MM系列，它们设计用于IGBT硅模块产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如6.349313盎司，安装类型设计用于螺钉，以及模块包装箱，该设备也可以用作底盘安装安装类型。此外，供应商设备包为模块，该设备采用三相桥式整流器输入，该设备具有带制动器的三相逆变器，最大功率为105W，集电器Ic最大值为25A，集电器-发射器击穿最大值为1200V，集电器截止最大值为50μa，最大Vge Ic上的Vce为1.8V@15V，40A，输入电容Cies Vce为1.1nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为195 W，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO Max为1200 V，集电极/发射极饱和电压为2.05 V，25 C下的连续集电极电流为55 A，并且栅极发射极漏电流为400nA，并且最大栅极发射极电压为20V。
带有用户指南的MG12300WB-BN2MM，包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，设计用于在1.7V@15V、300A（典型）Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于12.345887盎司，提供供应商设备包功能，如WB，系列设计用于MG12300WB，以及IGBT硅模块产品，该设备也可作为1400W最大功率使用。此外，Pd功耗为1400W，该设备采用散装包装，该设备具有封装盒模块，NTC热敏电阻为是，安装类型为螺钉，安装类型是底盘安装，其最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+125℃，最大栅极发射极电压为20V，输入电容Cies Vce为21nF@25V，输入为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极发射极漏电流为400nA，集电极Ic Max为500A，集电极截止电流最大值为1mA，25 C时的连续集电极电流为500A，集电极-发射极电压VCEO Max为1200V，集电极-发射器饱和电压为1.7V。
带有电路图的MG12450WB-BN2MM，包括1.7 V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在1200 V集电极/发射极电压VCEO最大值下工作，数据表说明中显示了半桥中使用的配置，该半桥提供25 C下的连续集电极电流，如600 a，集电极截止电流最大值设计为1mA，该器件还可以用作400nA栅极发射极漏电流。此外，IGBT类型为沟槽式场阻，该器件提供标准输入，该器件具有32nF@25V的输入电容Cies Vce，最大栅极发射极电压为20V，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为底盘安装，安装方式为螺钉式，NTC热敏电阻为是，包装箱为模块，包装为散装，Pd功耗为1950 W，最大功率为1950W，产品为IGBT硅模块，系列为MG12450WB，供应商设备包装为WB，单位重量为12.345887盎司，最大Vge Ic上的Vce为1.7V@15V，450A（典型值），电压收集器-发射器击穿最大值为1200V。
MG12400D-BN2MM，带EDA/CAD型号，包括沟槽场阻IGBT型，设计用于标准输入，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供NTC热敏电阻功能，如无，封装盒设计用于模块，以及MG12400D系列，该设备也可作为IGBT硅模块产品。此外，该配置为半桥，该设备以D3供应商设备包提供，该设备具有安装类型的底盘安装，且包装为散装，集流器Ic最大值为580A，25℃时的连续集流器电流为580A、栅极-发射极漏电流为400nA、集流器截止电流最大值为2mA，输入电容Cies Vce为28nF@25V，最大栅极发射极电压为20V，最大功率为1925W，Pd功耗为1925 W，集电极-发射极击穿电压最大值为1200V，集电极发射极电压VCEO最大值为1200 V，单位重量为10.053079 oz，最大Vge Ic上的Vce为1.7V@15V，400A（Typ），集电极-发射极饱和电压为1.7 V，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C。
