62 mm 650 V,400 A双IGBT模块,带TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极控制二极管。
特色
- 将阻断电压能力提高到650 V
- 延长工作温度Tvj op
- 高短路能力,自限短路电流
- 2.5 kV AC 1min绝缘
- CTI>400的包装
- 高爬电距离和间隙距离
- 隔离底板
- 标准外壳
- 灵活性
- 最佳电气性能
- 最高可靠性
应用
- 电机控制和驱动
- 太阳能系统解决方案
- 不间断电源(UPS)
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 1211.88202 | 1211.88202 |
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62 mm 650 V,400 A双IGBT模块,带TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极控制二极管。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。