NXH50M65L4C2ESG
- 描述:参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: 27-DIP
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 619.05066 | 619.05066 |
- 库存: 0
- 单价: ¥619.05066
-
数量:
- +
- 总计: ¥619.05
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 高度（英寸） -
- 容量 (磅) -
- 部件状态 可供货
- 参数配置 三相逆变器
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- IGBT型 -
- NTC热敏电阻 Yes
- 集电极击穿电压 650 V
- 安装类别 通孔
- 集电极最大截止电流 250A.
- 最大功率 20毫瓦
- 最大集电极电流 (Ic) 50 A
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 输入值 单相桥式整流器
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.2V @ 15V, 75A
- 包装/外壳 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20毫米)
- 供应商设备包装 27-DIP
- 输入电容 (Cies) @ Vce 2.608 nF @ 20 V
- 材质 -
NXH50M65L4C2ESG 产品详情
NXP半导体NXH5104 4 Mbit串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）是一种超低功耗单芯片解决方案，非常适合无线音频流和数据通信应用。NXH5104提供字节级和页级串行EEPROM功能、扇区级保护和断电功能。该设备专为低功耗、低电压应用而设计，并配有串行外围接口（SPI）兼容接口。
NXH50M65L4C2ESG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NXH5104UK/A1Z | 恩智浦 (NXP) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1V ~ 2.6V 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 13-WLCSP (2.8x2.74) | ¥66.85197 |
| NXH10VB1500M10*16_5.0TP | 韩国三莹 (SAMYOUNG) | ¥0.69749 | |
| NXH25VB470M8*15_5.0TP | 韩国三莹 (SAMYOUNG) | ¥0.44761 | |
| NXH 63V680 16*20 | 韩国三莹 (SAMYOUNG) | ¥4.69123 | |
| NXH 80V330 12.5*25 | 韩国三莹 (SAMYOUNG) | ¥2.97104 | |
| NXH25VB2200M12.5*30 3.4RB | 韩国三莹 (SAMYOUNG) | ¥2.66321 | |
| NXH2280UK/C1012 | NXH2280UK - Power Distribution S | ¥0.00 | |
| NXH3675UK/A1Z | NXH3675UK | ¥0.00 | |
| NXH25VB2200M16*20 7.5TP | 2200uF ±20% 25V 16*20mm - -40℃~+105℃ 插件 - | ¥2.10837 | |
| NXH10VB1000M8*15 LO | 1000uF ±20% 10V 8*15mm - -40℃~+105℃ 插件 - | ¥0.52765 |
NXH50M65L4C2ESG所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，NXH50M65L4C2ESG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NXH50M65L4C2ESG价格参考￥619.050663，你可以下载 NXH50M65L4C2ESG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NXH50M65L4C2ESG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
