9icnet为您提供由Littelfuse Inc.设计和生产的MG17100D-BN4MM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。MG17100D-BN4MM参考价格514.549298美元。Littelfuse股份有限公司MG17100D-BN4MM封装/规格：IGBT模块1700V 150A 690W D3。您可以下载MG17100D-BN4MM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MG17225WB-BN4MM带有引脚细节，包括MG17225WB-BN4MM系列，它们设计用于IGBT硅模块产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如12.345887盎司，安装类型设计用于螺钉，以及模块包装箱，该设备也可以用作底盘安装安装类型。此外，供应商设备包为WB，该设备以标准输入提供，该设备具有半桥配置，最大功率为1400W，集电器Ic最大值为325A，集电器-发射极击穿最大值为1700V，集电器截止最大值为3mA，IGBT类型为沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，225A，输入电容Cies Vce为20.5nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为1400 W，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO Max为1700 V，集电极/发射极饱和电压为2 V，25 C时的连续集电极电流为325 A，并且栅极发射极漏电流为400nA，并且最大栅极发射极电压为20V。
带有用户指南的MG17300D-BN4MM，包括1700V电压收集器-发射器击穿最大值，设计用于在2.45V@15V、300A Vce（最大Vge Ic）下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于11.287668盎司，提供D3等供应商设备包功能，系列设计用于MG17300D-BN4MM以及IGBT硅模块产品，该设备也可以用作1450W功率最大值。此外，Pd功耗为1450 W，该设备采用散装包装，该设备具有D-3封装模块，NTC热敏电阻为否，安装类型为螺钉，安装类型是底盘安装，其最低工作温度范围为-40 C，最高工作温度范围+125 C，最大栅极发射极电压为20V，输入电容Cies Vce为27nF@25V，输入为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极发射极漏电流为400nA，集电极Ic Max为400A，集电极截止电流最大值为1mA，25 C时的连续集电极电流为400A，集电极-发射极电压VCEO Max为1700V，集电极-发射器饱和电压为2V。
带有电路图的MG17450WB-BN4MM，包括2 V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在1700 V集电极/发射极电压VCEO最大值下工作，数据表说明中显示了半桥中使用的配置，该半桥提供25 C下的连续集电极电流，如600 a，集电极截止电流最大值设计为在3mA下工作，该器件还可以用作400nA栅极发射极漏电流。此外，IGBT类型为沟槽式场阻，该器件提供标准输入，该器件具有40.5nF@25V输入电容Cies Vce，最大栅极发射极电压为20V，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为底盘安装，安装方式为螺钉式，NTC热敏电阻为是，包装箱为模块，包装为散装，Pd功耗为2250 W，最大功率为2250W，产品为IGBT硅模块，系列为MG17450WB-BN4MM，供应商设备包装为WB，单位重量为12.345887盎司，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，450A，电压收集器-发射器击穿最大值为1700V。
MG17300WB-BN4MM带有EDA/CAD型号，包括是NTC热敏电阻，它们设计为与WB供应商设备包一起工作，数据表注释中显示了IGBT类型，用于沟槽现场停止，提供了标准等输入功能，安装样式设计为在螺钉中工作，以及模块包外壳，该设备也可以用作MG17300WB-BN4MM系列。此外，该产品为IGBT硅模块，该器件采用半桥配置，该器件具有安装型底盘安装，封装为散装，栅极-发射极漏电流为400nA，集流器截止电流最大值为3mA，集流电流Ic最大值为375A，25℃时的连续集流器电流为375A，输入电容Cies Vce为27nF@25V，最大栅极发射极电压为20V，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，300A，集电极发射极饱和电压为2V，集电极-发射极击穿电压最大值为1700V，集电极发射器电压VCEO最大值为1700 V，功率最大值为1650W，Pd功耗为1650 W，单位重量为12.345887盎司，它的最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围是-40℃。
