9icnet为您提供由Littelfuse股份有限公司设计和生产的MG17100S-BN4MM,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。MG17100S-BN4MM参考价格为179.366618美元。Littelfuse股份有限公司MG17100S-BN4MM封装/规格:IGBT模块1700V 150A 620W S3。您可以下载MG17100S-BN4MM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MG17225WB-BN4MM带有引脚细节,包括MG17225WB-BN4MM系列,它们设计用于IGBT硅模块产品,包装如数据表注释所示,用于散装,提供单位重量功能,如12.345887盎司,安装类型设计用于螺钉,以及模块包装箱,该设备也可以用作底盘安装安装类型。此外,供应商设备包为WB,该设备以标准输入提供,该设备具有半桥配置,最大功率为1400W,集电器Ic最大值为325A,集电器-发射极击穿最大值为1700V,集电器截止最大值为3mA,IGBT类型为沟槽场阻,最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V,225A,输入电容Cies Vce为20.5nF@25V,NTC热敏电阻为Yes,Pd功耗为1400 W,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-40 C,集电极-发射极电压VCEO Max为1700 V,集电极/发射极饱和电压为2 V,25 C时的连续集电极电流为325 A,并且栅极发射极漏电流为400nA,并且最大栅极发射极电压为20V。
带有用户指南的MG17300D-BN4MM,包括1700V电压收集器-发射器击穿最大值,设计用于在2.45V@15V、300A Vce(最大Vge Ic)下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于11.287668盎司,提供D3等供应商设备包功能,系列设计用于MG17300D-BN4MM以及IGBT硅模块产品,该设备也可以用作1450W功率最大值。此外,Pd功耗为1450 W,该设备采用散装包装,该设备具有D-3封装模块,NTC热敏电阻为否,安装类型为螺钉,安装类型是底盘安装,其最低工作温度范围为-40 C,最高工作温度范围+125 C,最大栅极发射极电压为20V,输入电容Cies Vce为27nF@25V,输入为标准,IGBT类型为沟槽场阻,栅极发射极漏电流为400nA,集电极Ic Max为400A,集电极截止电流最大值为1mA,25 C时的连续集电极电流为400A,集电极-发射极电压VCEO Max为1700V,集电极-发射器饱和电压为2V。
带有电路图的MG17450WB-BN4MM,包括2 V集电极-发射极饱和电压,它们设计为在1700 V集电极/发射极电压VCEO最大值下工作,数据表说明中显示了半桥中使用的配置,该半桥提供25 C下的连续集电极电流,如600 a,集电极截止电流最大值设计为在3mA下工作,该器件还可以用作400nA栅极发射极漏电流。此外,IGBT类型为沟槽式场阻,该器件提供标准输入,该器件具有40.5nF@25V输入电容Cies Vce,最大栅极发射极电压为20V,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-40 C,安装类型为底盘安装,安装方式为螺钉式,NTC热敏电阻为是,包装箱为模块,包装为散装,Pd功耗为2250 W,最大功率为2250W,产品为IGBT硅模块,系列为MG17450WB-BN4MM,供应商设备包装为WB,单位重量为12.345887盎司,最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V,450A,电压收集器-发射器击穿最大值为1700V。
MG17300WB-BN4MM带有EDA/CAD型号,包括是NTC热敏电阻,它们设计为与WB供应商设备包一起工作,数据表注释中显示了IGBT类型,用于沟槽现场停止,提供了标准等输入功能,安装样式设计为在螺钉中工作,以及模块包外壳,该设备也可以用作MG17300WB-BN4MM系列。此外,该产品为IGBT硅模块,该器件采用半桥配置,该器件具有安装型底盘安装,封装为散装,栅极-发射极漏电流为400nA,集流器截止电流最大值为3mA,集流电流Ic最大值为375A,25℃时的连续集流器电流为375A,输入电容Cies Vce为27nF@25V,最大栅极发射极电压为20V,最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V,300A,集电极发射极饱和电压为2V,集电极-发射极击穿电压最大值为1700V,集电极发射器电压VCEO最大值为1700 V,功率最大值为1650W,Pd功耗为1650 W,单位重量为12.345887盎司,它的最大工作温度范围为+125℃,最小工作温度范围是-40℃。