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APTF100DU120TG是IGBT模块NPT DUAL 1200V SP4，包括SP4封装盒，它们设计为与底盘安装型一起工作，供应商设备封装如SP4中使用的数据表注释所示，提供标准等输入功能，配置设计为在双电源、公共电源以及568W最大功率下工作，该器件还可以用作135A集流器Ic最大值。此外，集流器发射极击穿最大值为1200V，该器件提供350μA集流管截止最大值，该器件具有IGBT类型的NPT，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，100A，输入电容Cies Vce为6.9nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APGF100DA120TG是IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.7V@15V、100A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP4，提供功率最大值功能，如568W，包壳设计为在SP4中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为6.9nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT类型的NPT，集电器Ic最大值为135A，集电器截止值最大值为350μa，配置为单一。
APGF100SK120TG是IGBT 1200V 135A 568W SP4，包括单一配置，它们设计为在350μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于135A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计为标准工作，以及6.9nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装外壳，该器件的最大功率为568W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
APTF100HR120G，带有MICROSEMI制造的EDA/CAD模型。是IC芯片的一部分。
