9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的GB100XCP12-227，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GB100XCP12-227参考价格681.2772美元。GeneSiC半导体GB100XCP12-227封装/规格：IGBT模块1200V 100A SOT227。您可以下载GB100XCP12-227英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GB05SLT12-252是二极管硅1.2KV 5A TO252，包括GB05SLT22系列，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.056438盎司，安装方式设计用于通孔，以及to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该器件也可以用作SiC技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在TO-252供应商设备包中提供，该设备的无恢复时间>500mA（Io），二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为50μa@1200V，电压正向Vf Max If为1.8V@2A，电压直流反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为5A，反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为260pF@1V，1MHz，Pd功耗为42W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.9V，Ir反向电流为26uA，如果正向电流为5A，Vrm重复反向电压为1200V，Ifsm正向浪涌电流为32A，trr反向恢复时间为25ns。
GB05SLT12-220是DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC，包括1200 V Vrm重复反向电压，它们设计为在1.8V@2A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1200V（1.2KV）的电压直流反向Vr Max，其提供了1.9 V等正向电压特性，单位重量设计为工作在0.081130盎司，该器件还可以用作SiC技术。此外，供应商的设备包装为TO-220AC，该设备的无恢复时间>500mA（Io）速度，该设备具有GB05SLT12系列，反向恢复时间trr为0ns，产品为肖特基碳化硅二极管，Pd功耗为42W，包装为管，包装箱为TO-220-2，安装方式为通孔，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为26 uA，Ifsm正向浪涌电流为32 A，Ifs正向电流为5 A，二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为50μA@1200V，电流平均整流Io为5A，电容Vr F为260pF@1V，1MHz。
GB100TS60K，带有IR制造的电路图。GB100TS60 K可在模块封装中获得，是模块的一部分。
