9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的FZ1200R45KL3B5NOSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FZ1200R45KL3B5NOSA1参考价格为3241.68000美元。Infineon Technologies FZ1200R45KL3B5NOSA1封装/规格：IGBT模块4500V 1200A。您可以下载FZ1200R45KL3B5NOSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FZ1200R33KF2C_B3_S2，带引脚细节，包括螺钉安装型，设计用于IS5a（62 mm）-9封装外壳，配置如数据表注释所示，用于三公共发射极公共栅极，具有14.5 kW等Pd功耗特性，最大工作温度范围为+125 C，它的最低工作温度范围为-40℃，该器件也可以用作3300 V集电极-发射极电压VCEO最大值。此外，集电极-发射器饱和电压为3.4 V，该器件在25℃时提供2000 A的连续集电极电流，该器件具有400 nA的栅极漏电流，最大栅极电压为+/-20 V。
FZ1200R33KL2C_B5带用户指南，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于IHV190封装盒，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，其最低工作温度范围为-40 C，最高工作温度范围+125 C，以及+/-20 V最大栅极发射极电压，该设备还可以用作25℃时的2300 A连续集电极电流。此外，该配置为三重配置，该设备提供3300 V集电极-发射极电压VCEO最大值。
FZ1200R33KF1，带有Eupec制造的电路图。FZ1200R33KF1在模块包中提供，是模块的一部分。
FZ1200R33KF2，带有EUPEC制造的EDA/CAD模型。FZ1200R33KF2在模块包中提供，是模块的一部分。
