9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-CPV363M4UPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-CPV363M4UPBF参考价格为124.3128美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-CPV363M4UPBF封装/规格：IGBT模块600V 13A 36W IMS-2。您可以下载VS-CPV363M4UPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-CPV362M4UPBF是MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP，包括CPV362MxxPbF系列，它们设计用于散装包装，CPV362M4UPBF中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.705479盎司，安装样式设计用于通孔，以及19-SIP（13引线）、IMS-2封装盒，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为IMS-2，该设备采用标准输入，该设备具有十六进制配置，最大功率为23W，集电器Ic最大值为7.2A，集电器-发射器击穿最大值为600V，集电器截止最大值为250μa，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，3.9A，输入电容Cies Vce为0.53nF@30V，NTC热敏电阻为否，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，25 C时的连续集电极电流为7.2 A，最大栅极-发射极电流为+/-20 V。
VS-CPV363M4KPBF是MOD IGBT三相INV 600V SIP，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、6A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.705479盎司，提供供应商设备包功能，如IMS-2，功率最大值设计为36W，以及CPV3363M4KPBF-零件别名，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为19-SIP（13引线），IMS-2，该器件提供无NTC热敏电阻，该器件具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为20 V，输入电容Cies Vce为0.74nF@30V，输入为标准，集电极Ic最大值为11A，集电极截止最大值为250μA，连续集电极电流Ic最大为11 A，配置为十六进制，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V。
VS-CPV363M4FPBF是MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP，包括600 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计为以十六进制配置运行，25 C下的连续集电极电流如数据表注释所示，用于16 a，提供最大栅极-发射极电压特性，例如+/-20 V，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-40℃，该设备也可以用作通孔安装型。此外，安装类型为通孔，该设备提供无NTC热敏电阻，该设备具有19-SIP（13引线）、IMS-2包装箱，包装为散装，零件别名为CPV363M4FPBF，供应商设备包装为IMS-2，单位重量为0.705479盎司。
