特色
- VGS=10 V，ID=7 A时，最大rDS（开）=20 mΩ
- VGS=6 V，ID=5.5 A时，最大rDS（开）=32 mΩ
- 适用于二次侧同步整流的灵活布局
- 终端为无铅且符合RoHS
- 100%UIL测试
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FD-DF80R12W1H3_B52
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 215 W 供应商设备包装: Module
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥2,601.62940
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,601.63
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规格参数
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 可供货
- IGBT型 场终止沟道
- 集电极击穿电压 1200伏
- 输入值 标准
- 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 模块
- 供应商设备包装 Module
- 集电极最大截止电流 1毫安
- 参数配置 单个的
- NTC热敏电阻 Yes
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.4V @ 15V, 40A
- 最大集电极电流 (Ic) 40 A
- 最大功率 215 W
- 输入电容 (Cies) @ Vce 235 nF @ 25 V
FD-DF80R12W1H3_B52 产品详情
该软件包集成了两个内部连接的N通道设备，采用公共源配置。这实现了非常低的封装寄生和到底部公共源极焊盘的优化热路径。提供非常小的占地面积（3.3 x 5 mm）以实现更高的功率密度。
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FD-DF80R12W1H3_B52所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，FD-DF80R12W1H3_B52 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FD-DF80R12W1H3_B52价格参考￥2601.629400，你可以下载 FD-DF80R12W1H3_B52中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FD-DF80R12W1H3_B52规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
