1200V SmartPIM 1 IGBT模块,采用快速沟槽/场阻IGBT4、发射极控制4二极管、NTC和PressFIT接触技术
特色
- 低开关损耗
- 沟槽IGBT 4
- 温度(vj io)=150°C
- 低电压(cesat)
- 低热阻的AI(2)O(3)衬底
- 坚固的双联框架结构
- 自作用PressFIT组件
- 安全简单的安装过程
- 缩短装配时间
- 模块引脚和PCB的可靠连接
- 灵活的安装可能性
应用
潜在应用
起订量: 30
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
30+ | 945.92274 | 28377.68220 |
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1200V SmartPIM 1 IGBT模块,采用快速沟槽/场阻IGBT4、发射极控制4二极管、NTC和PressFIT接触技术
潜在应用
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。