经济确认™ + B系列1200 V、300 A六组IGBT模块，带TRENCHSTOP™ IGBT4和优化的发射极控制二极管。另请参阅我们的EconoPACK+D系列，了解新设计：FS300R12OE4
特色
- 直流和交流易于分离
- 优化散热片热阻情况
- 紧凑型逆变器设计的最高功率密度
- 紧凑型模块
- 易于和最可靠的组装
- 无需插头和电缆
- 低电感系统设计的理想选择
应用
- 电机控制和驱动
- 太阳能系统解决方案
- 商用、建筑和农用车辆（CAV）
- 不间断电源（UPS）
FS300R12KE4BOSA1
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 1600 W 供应商设备包装: Module
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 4+ | 4763.65533 | 19054.62132 |
- 库存: 8
- 单价: ¥3,175.64951
-
数量:
- +
- 总计: ¥3,175.65
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规格参数
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- IGBT型 场终止沟道
- 集电极击穿电压 1200伏
- 输入值 标准
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 模块
- 供应商设备包装 Module
- 参数配置 三相逆变器
- 最大功率 1600 W
- NTC热敏电阻 Yes
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度
- 部件状态 不适用于新设计
- 集电极最大截止电流 3毫安
- 最大集电极电流 (Ic) 450 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 300A
- 输入电容 (Cies) @ Vce 18.5 nF @ 25 V
FS300R12KE4BOSA1 产品详情
FS300R12KE4BOSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FS310 | 欧普泰克 (TT) | 编码器的类型: 光的 执行装置类别: 不包括编码轮 电源电压: 2.97伏~3.6伏 每转脉冲: 可编程 端接样式: SMD（SMT）选项卡 安装类别: 表面安装 | ¥185.41824 |
| FS3000-1015 | 瑞萨电子 (Renesas) | AIR VELOCITY MODULE, SURFACE MOU | ¥181.00007 |
| FS3000-1005 | 瑞萨电子 (Renesas) | MODULE REQUIRES WAFER | ¥181.00007 |
 | FS36-170 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 6VA TH | ¥80.68591 |
 | FS36-65 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 2.4VA TH | ¥76.4126 |
 | FS36-350 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 12VA TH | ¥92.4194 |
 | FS36-030-C2 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 1.1VA TH | ¥23.52494 |
 | FS36-350-C2 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 12VA TH | ¥90.31896 |
 | FS36-065-C2 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 2.4VA TH | ¥26.76976 |
 | FS36-550-C2 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 20VA TH | ¥81.12352 |
FS300R12KE4BOSA1所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，FS300R12KE4BOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FS300R12KE4BOSA1价格参考￥3175.649505，你可以下载 FS300R12KE4BOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FS300R12KE4BOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
