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F4-50R12KS4是IGBT模块N-CH 1.2KV 70A,其中包括IGBT硅模块产品,它们设计为采用螺钉安装方式运行,数据表说明中显示了用于Econo 2的包装箱,该产品提供了Quad等配置功能,Pd功耗设计为工作在355 W,其最大工作温度范围为+125 C,它的最低工作温度范围为-40℃。此外,集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V,该器件提供3.75 V集电极-发射器饱和电压,该器件在25℃时具有70 a的连续集电极电流,栅极-发射极漏电流为400 nA,最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
F4-50R06W1E3是IGBT模块N-CH 600V 75A,包括IGBT硅模块产品,它们设计用于EASY1B封装外壳,安装方式如数据表注释所示,用于螺钉,其最低工作温度范围为-40 C,最高工作温度范围+150 C,以及+/-20 V最大栅极发射极电压,该设备也可以在25℃时作为75 A的连续集电极电流使用。此外,该配置为Quad,该设备提供600 V集电极-发射极电压VCEO Max。
F4-50R07W2H3_B51,带电路图,包括散装包装。
F4-50R12KS4_B11,带有Infineon制造的EDA/CAD模型。是IGBT模块的一部分,支持IGBT模块IGBT模块50A 1200V。