9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的FS100R07N3E4BOSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FS100R07N3E4BOSA1参考价格为93.59000美元。Infineon Technologies FS100R07N3E4BOSA1封装/规格：IGBT MOD 650V 100A 335W。您可以下载FS100R07N3E4BOSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FS100R07N3E4是IGBT模块IGBT模块100A 650V，包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，数据表注释中显示了用于335 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，以及650 V集电极-发射极电压VCEO Max，该器件也可用作1.95V集电极-发射极饱和电压。此外，25℃时的连续集电极电流为100 A，该器件提供400 nA栅极-发射极漏电流，该器件的最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
FS100R07N2E4是IGBT模块IGBT模块100A 650V，包括散装封装。
FS100R07N2E4_B11，带电路图，包括散装包装。
FS100R07N3E4_B11，带有Infineon制造的EDA/CAD模型。是IGBT模块的一部分，支持IGBT模块IGBT模块100A 650V。
