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APTFF15X120T3G，带引脚细节，包括SP3封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供标准等输入功能，配置设计用于三相逆变器，以及140W最大功率，该设备也可用作25A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的NPT，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，15A，输入电容Cies Vce为1nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTFF165A60D1G是IGBT NPT PHASE 600V 230A D1，包括600V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.45V@15V、200A Vce运行，数据表说明中显示了用于D1的供应商设备包，提供功率最大值功能，如781W，包壳设计用于D1，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为9nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型NPT，集电器Ic最大值为230A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
APTFF165DA60D1G是IGBT 600V 230A 730W D1，包括单一配置，它们设计用于500μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于230A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计用于标准，以及9nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装方案，该器件的最大功率为730W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，200A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
