9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的FS100R07N3E4B11BOSA1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FS100R07N3E4B11BOSA1参考价格96.20000美元。Infineon Technologies FS100R07N3E4B11BOSA1封装/规格:IGBT MOD 650V 100A 335W。您可以下载FS100R07N3E4B11BOSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FS100R07N3E4是IGBT模块IGBT模块100A 650V,包括IGBT硅模块产品,它们设计为采用螺钉安装方式运行,数据表注释中显示了用于335 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,以及650 V集电极-发射极电压VCEO Max,该器件也可用作1.95V集电极-发射极饱和电压。此外,25℃时的连续集电极电流为100 A,该器件提供400 nA栅极-发射极漏电流,该器件的最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
FS100R07N2E4是IGBT模块IGBT模块100A 650V,包括散装封装。
FS100R07N2E4_B11,带电路图,包括散装包装。
FS100R07N3E4_B11,带有Infineon制造的EDA/CAD模型。是IGBT模块的一部分,支持IGBT模块IGBT模块100A 650V。