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FP50R07N2E4B11BOSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 供应商设备包装: Module
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 5

  • 库存: 40
  • 单价: ¥477.23468
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,386.17
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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 输入值 标准
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 供应商设备包装 Module
  • 参数配置 三相逆变器
  • 集电极最大截止电流 1毫安
  • NTC热敏电阻 Yes
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 最大功率 -
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 3.1 nF @ 25 V
  • 最大集电极电流 (Ic) 70 A
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.95V@15V,50A
  • 色彩/颜色 Yellow

FP50R07N2E4B11BOSA1 产品详情

IGBT模块,英飞凌

这个英飞凌科技一系列IGBT模块提供低开关损耗,可切换高达60 Khz的频率。
IGBT跨越一系列电源模块,如集电极-发射极电压为1200V的ECONOPACK封装、NTC高达1600/170V的PrimePACK IGBT半桥斩波器模块。PrimePACK IGBT可用于工业、商业、建筑和农业车辆。N信道TRENCHSTOPTM公司和Fieldstop IGBT模块适用于硬开关和软开关应用,如逆变器、UPS和工业驱动器。

包装样式包括:62mm模块、EasyACK、EconoACKTM公司2/EconoACKTM公司3/EconoACKTM公司4.

特色

  • 将阻断电压能力提高到650V
  • 高短路能力,自限短路电流
  • 温度(vj op)=150°C
  • 具有正温度系数的V(CEsat)
  • 集成NTC温度传感器
  • 隔离底板
  • 铜基板
  • 焊料接触技术
  • 紧凑型模块概念
  • 优化客户的开发周期时间和成本
  • 配置灵活性

应用

潜在应用

         


FP50R07N2E4B11BOSA1所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,FP50R07N2E4B11BOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FP50R07N2E4B11BOSA1价格参考¥477.234681,你可以下载 FP50R07N2E4B11BOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FP50R07N2E4B11BOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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