久芯网

FF900R12IE4VPBOSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 900 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3

数量 单价 合计
3+ 6237.00604 18711.01814
  • 库存: 0
  • 单价: ¥6,237.00605
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18,711.02
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 集电极最大截止电流 5 mA
  • 输入值 标准
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 供应商设备包装 Module
  • NTC热敏电阻 Yes
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度
  • 参数配置 半桥
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 最大集电极电流 (Ic) 900 A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 54 nF @ 25 V
  • 最大功率 20毫瓦
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 900A

FF900R12IE4VPBOSA1 产品详情

FF900R12IE4VPBOSA1所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,FF900R12IE4VPBOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FF900R12IE4VPBOSA1价格参考¥6237.006048,你可以下载 FF900R12IE4VPBOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FF900R12IE4VPBOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部