1200V IHM B 130mm单开关IGBT模块,带沟槽/场阻IGBT4和发射极控制4二极管-适合您的行业应用的最佳解决方案。也可使用热界面材料。
特色
- 延长工作温度Tvj op
- 低开关损耗
- CTI>400的包装
- UL认可
- 高功率密度
- 标准化住房
应用
潜在应用
起订量: 2
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
2+ | 6741.69132 | 13483.38264 |
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1200V IHM B 130mm单开关IGBT模块,带沟槽/场阻IGBT4和发射极控制4二极管-适合您的行业应用的最佳解决方案。也可使用热界面材料。
潜在应用
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。