9icnet为您提供由其他公司设计和生产的APTF75DH120TG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APGF75DH120TG参考价格为212.228美元。其他APGF75DH120TG封装/规格：IGBT模块1200V 100A 500W SP4。您可以下载APTF75DH120TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGF75DDA120TG带有引脚细节，包括SP4封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP4，提供标准等输入功能，配置设计用于双电源、公共电源以及500W最大功率，该设备也可作为100A电流收集器Ic Max使用。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该器件提供250μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT类型的NPT，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，75A，输入电容Cies Vce为5.1nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APGF75DA120T1G带有用户指南，包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3.7V@15V、75A Vce运行，数据表说明中显示了SP1中使用的供应商设备包，提供500W等最大功率功能，包壳设计为在SP1中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为5.1nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT类型的NPT，集电器Ic最大值为100A，集电器截止值最大值为250μa，配置为单一。
APTGF660U60D4G带有电路图，包括单配置，它们设计用于500μa集电器最大截止电流，集电器Ic最大值如数据表注释所示，用于860A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计用于标准，以及36nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D4封装盒，该器件的最大功率为2800W，供应商器件封装为D4，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，800A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
APGF75DA60D1G是IGBT 600V 100A 355W D1，包括标准输入，设计用于单配置操作，数据表注释中显示了用于NPT的IGBT类型，该NPT提供NTC热敏电阻功能，如否，封装盒设计用于D1，以及D1供应商设备包，该设备也可以用作底盘安装安装型。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为600V，该设备提供500μA电流收集器截止最大值，该设备的最大功率为355W，输入电容Cies Vce为3.3nF@25V，最大Vge Ic上的Vce为2.45V@15V，75A，电流收集器Ic最大值为100A。
