9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT50GT120B2RG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT50GT120B2RG参考价格为15.10000美元。Microchip Technology APT50GT120B2RG封装/规格：IGBT 1200V 94A 625W TO247。您可以下载APT50GT120B2RG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT50GS60BRG是IGBT 600V 93A 415W TO247，包括Thunderbolt IGBTR系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于ThunderboltHS，以及to-247-3包装箱，该设备也可以用作标准输入类型。此外，安装类型为通孔，该设备在TO-247[B]供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，最大功率为415W，集电器Ic最大值为93A，集电器发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为NPT，集电器脉冲Icm为195A，最大Vge Ic上的Vce为3.15V@15V，50A，开关能量为755μJ（关），栅极电荷为235nC，25°C时的Td为16ns/225ns，测试条件为400V、50A、4.7 Ohm、15V，Pd功耗为415 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，且集电极-发射极饱和电压为2.8V，且25℃时的连续集电极电流为93A，且栅极-发射极漏电流为100nA，且最大栅极-发射极电压为30V，且持续集电极电流Ic-Max为93A。
APT50GT120B2RDQ2G是IGBT 1200V 94A 625W TO247，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.7V@15V，50A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供800V、50A、4.7 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，除了2330μJ（关断）开关能量外，该设备还可以用作霹雳IGBTR系列。此外，最大功率为625W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，安装类型是通孔，输入类型为标准，IGBT类型为NPT，栅极电荷为340nC，集电器脉冲Icm为150A，集电器Ic最大值为94A。
APT50GT120B2RDLG是IGBT 1200V 106A 694W TO-247，包括106A集电器Ic Max，它们设计用于150A集电器脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于240nC，提供IGBT类型功能，如NPT，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3变型包装箱。此外，包装为管式，该设备提供694W功率最大，该设备具有Thunderbolt系列IGBTR，开关能量为3585μJ（开）、1910μJ（关），25°C时的Td为23ns/215ns，测试条件为800V、50A、4.7 Ohm、15V，最大Vge Ic为3.7V@15V、50V，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V。
