9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT65GP60B2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT65GP60B2G参考价格为17.64000美元。Microchip Technology APT65GP60B2G封装/规格：IGBT 600V 100A 833W TMAX。您可以下载APT65GP60B2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT64GA90LD30是IGBT 900V 117A 500W TO-264，包括功率MOS 8？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.373904盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于POWER MOS 8以及to-264-3、to-264AA包装盒，该设备也可作为标准输入类型。此外，安装类型为通孔，该设备在TO-264[L]供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，最大功率为500W，集电器Ic最大值为117A，集电器发射极击穿最大值为900V，IGBT类型为PT，集电器脉冲Icm为193A，最大Vge Ic上的Vce为3.1V@15V，38A，开关能量为1192μJ（开）、1088μJ（关），栅极电荷为162nC，25°C时的Td为18ns/131ns，测试条件为600V、38A、4.7欧姆、15V，Pd功耗为500W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为900 V，且集电极-发射极饱和电压为2.5V，且25℃时的连续集电极电流为117A，且栅极-发射极漏电流为100nA，且最大栅极-发射极电压为30V，且持续集电极电流Ic-Max为117A。
APT64GA90B2D30是IGBT 900V 117A 500W TO-247，包括900V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3.1V@15V、38A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于600V、38A、4.7 Ohm、15V，提供Td开-关25°C特性，如18ns/131ns，开关能量设计为在1192μJ（开）、1088μJ（关）下工作，以及POWER MOS 8？系列，该器件也可以用作500W最大功率。此外，封装为管，该器件采用TO-247-3变型封装盒，该器件具有安装型通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为162nC，集电器脉冲Icm为193A，集电器Ic最大值为117A。
APT64GA90B是IGBT 900V 117A 500W TO247，包括117A集流器Ic Max，它们设计用于193A集流脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于162nC，提供IGBT类型功能，如PT，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装为管式，该设备以500W最大功率提供，该设备具有供应商设备包的TO-247[B]，开关能量为1857μJ（开）、2311μJ（关），25°C时的Td为18ns/131ns，测试条件为600V、38A、4.7 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为3.1V@15V、38A，集电极-发射极击穿最大值为900V。
