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APT43F60L是MOSFET N-CH 600V 45A TO-264，包括卷筒封装，其设计可在0.352740盎司单位重量下运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-264等封装外壳功能，技术设计可在Si中工作，以及单配置，该设备也可作为780 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为44 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为45 a，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为145ns，典型接通延迟时间为48ns，Qg栅极电荷为215nC，正向跨导最小值为42S，沟道模式为增强。
APT43GA90B是IGBT 900V 78A 337W TO-247，包括900V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3.1V@15V、25A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于600V、25A、4.7 Ohm、15V，提供Td开-关25°C特性，如12ns/82ns，开关能量设计为在875μJ（开）、425μJ（关）下工作，除了TO-247[B]供应商设备包，该设备还可以用作POWER MOS 8？系列此外，最大功率为337W，器件采用管式封装，器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为116nC，集流器脉冲Icm为129A，集流器Ic最大值为78A。
APT43F60B2是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
