该330V IGBT专门设计用于TO-220AB封装中的等离子显示面板。该器件利用先进的沟槽IGBT技术实现每硅面积的低VCE(导通)和低EPULSETM额定值,从而提高面板效率。
特色
- 沟槽IGBT技术
- 针对PDP应用中的维持和能量回收电路进行了优化
- 低VCE(开启)和每脉冲能量(EPULSETM),提高面板效率
- 高重复峰值电流能力
- 无铅
应用
- 驱动器和泵
起订量: 138
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
138+ | 15.78952 | 2178.95403 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
该330V IGBT专门设计用于TO-220AB封装中的等离子显示面板。该器件利用先进的沟槽IGBT技术实现每硅面积的低VCE(导通)和低EPULSETM额定值,从而提高面板效率。