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FGL60N100BNTD

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起订量: 72

数量 单价 合计
1+ 19.62113 19.62113
10+ 17.21447 172.14476
30+ 15.78519 473.55573
100+ 14.34539 1434.53960
500+ 13.67279 6836.39600
1000+ 13.37852 13378.52700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥19.62114
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,136.53
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规格参数

  • 宽(英寸) thirty-six
  • 容量 (磅) -
  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 开关能量 -
  • 开通/关断延时 (25°C) -
  • 试验条件 -
  • 集电极击穿电压 -
  • 最大集电极电流 (Ic) -
  • 最大整流电流 (Icm) -
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) -
  • 最大功率 -
  • 输入类别 -
  • 门电荷 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 包装/外壳 -
  • 供应商设备包装 -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)

FGL60N100BNTD 产品详情

FGL60N100BNTD是一种1000V NPT沟槽IGBT,具有高速开关。它采用非穿通(NPT)IGBT设计。这是MOS门控高压开关IGBT家族的新成员。IGBT结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。为设计高效可靠的系统提供了较低的传导损耗和较低的开关损耗。Fairchild通过各种工艺技术(从300V到1200V以上)提供广泛的IGBT器件组合。优化的制造工艺可实现更好的控制和重复性。该产品广泛使用,适用于许多不同的应用。

特色

  • 低饱和电压
  • 高输入阻抗
  • 高速切换
  • 内置快速恢复二极管
FGL60N100BNTD所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),FGL60N100BNTD 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FGL60N100BNTD价格参考¥19.621139,你可以下载 FGL60N100BNTD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FGL60N100BNTD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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