9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计和生产的RJH60D7DPQ-E0#T2，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。RJH60D7DPQ-E0#T2参考价格9.32000美元。Renesas Electronics America Inc RJH60D7DPQ-E0#T2封装/规格：IGBT，90A，600V，N-CHANNEL。您可以下载RJH60D7DPQ-E0#T2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RJH60D7DPM-00#T1，带引脚细节，包括管封装，设计用于to-3PFM、SC-93-3封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于to-3 PFM，以及55W最大功率，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，集电器Ic最大值为90A，该器件提供600V电压集电器-发射极击穿最大值，该器件具有IGBT型沟槽，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，50A，开关能量为1.1mJ（开），600μJ（关），栅极电荷为130nC，25°C下的Td为60ns/190ns，测试条件为300V、50A、5欧姆、15V。
RJH60D7DPK-00#T0，带有用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.2V@15V、50A Vce（最大Vge Ic）下工作，测试条件如数据表注释所示，用于300V、50V、5 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如60ns/190ns，开关能量设计为在1.1mJ（开）、600μJ（关）下工作，以及TO-3P供应商设备包，该设备也可以用作100ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为300W，器件采用管式封装，器件具有TO-3P-3、SC-65-3封装盒，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽型，栅极电荷为130nC，集流器Ic最大值为90A。
RJH60D7BDPQ-E0#T2带电路图，包括90A集流器Ic Max，设计用于125nC栅极充电，数据表注释中显示了用于沟槽的IGBT类型，该沟槽提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-247-3封装盒，该设备也可用作管封装。此外，功率最大值为300W，该设备提供25ns反向恢复时间trr，该设备具有供应商设备包的TO-247，开关能量为700μJ（开），1.4mJ（关），25°C时的Td为60ns/180ns，测试条件为300V，50A，5 Ohm，15V，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，50V，集电极-发射极击穿最大值为600V。
