英飞凌的隔离栅双极晶体管（IGBT）为iser提供了一系列全面的选项，以确保您的应用范围得到覆盖。高效率额定值使这一范围的IGBT能够用于广泛的应用，并且由于低开关损耗，可以支持各种开关频率。
IGBT与超快软恢复反并联二极管共同封装，用于桥接配置
应用
- 太阳的
- 不间断电源
- 焊接
IRG7PH35UD-EP
- 描述:IRG7PH35UD - IGBT WITH ANTI-PARA
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 71
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 24.42395 | 24.42395 |
| 200+ | 9.45850 | 1891.70060 |
| 400+ | 9.12220 | 3648.88040 |
| 800+ | 8.95405 | 7163.24000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥24.42396
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,734.10
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规格参数
- 高度（英寸） -
- 容量 (磅) -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 可供货
- IGBT型 -
- 反向恢复时长 (trr) -
- 开关能量 -
- 开通/关断延时 (25°C) -
- 试验条件 -
- 集电极击穿电压 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 最大整流电流 (Icm) -
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) -
- 最大功率 -
- 输入类别 -
- 门电荷 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 材质 -
IRG7PH35UD-EP 产品详情
Co-Pack IGBT超过21A，英飞凌
IRG7PH35UD-EP 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRG5K100HF06A | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 170 A 最大功率: 405 W 供应商设备包装: 鲍威尔34 | ¥4,214.22567 |
| IRG5K100HF12A | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 620 W 供应商设备包装: 鲍威尔34 | ¥5,013.45468 |
 | IRGBC30F | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 31 A 最大功率: 100瓦 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥27.10293 |
 | IRGP4263PBF | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 300瓦 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.20769 |
| IRGP4072DPBF | IRGP4072D - IGBT WITH ULTRAFAST | ¥26.36416 | |
| IRGPS66160DPBF | IRGPS66160D - IGBT WITH ULTRAFAS | ¥82.85878 | |
| IRGB20B60PD1PBF | 英飞凌 (Infineon) | IRGB20B60 - DISCRETE IGBT WITH A | ¥21.6273 |
 | IRG8P45N65UD1PBF | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 45A CO-PAK-247 | ¥43.53103 |
 | IRG7PH35UD1MPBF | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 179 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥101.84966 |
| IRGB4620D | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥7.7875 |
IRG7PH35UD-EP所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IRG7PH35UD-EP 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRG7PH35UD-EP价格参考￥24.423957，你可以下载 IRG7PH35UD-EP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRG7PH35UD-EP规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
