9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT35GN120SG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT35GN120SG参考价格$8.79000。Microchip Technology APT35GN120SG封装/规格：IGBT FIELDSTOP SINGLE 1200V 35A。您可以下载APT35GN120SG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT35GN120L2DQ2G是IGBT 1200V 94A 379W TO264，包括管封装，它们设计用于0.373904盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-264-3、to-264AA等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为379W，该器件提供94A集电器Ic Max，该器件具有1200V的集电器-发射极击穿最大值，IGBT类型为NPT，沟槽场阻，集电器脉冲Icm为105A，最大Vce Vge Ic为2.1V@15V，35A，开关能量为2.315mJ（关断），栅极电荷为220nC，25°C时的Td为24ns/300ns，测试条件为800V，35A，2.2 Ohm，15V，Pd功耗为379W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为1.7 V，25 C下的连续集电极电流为94 A，且栅极-发射极漏电流为600nA，且最大栅极-发射极电压为30V，且连续集电极电流Ic-Max为94A。
APT35GN120BG是IGBT 1200V 94A 379W TO247，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、35A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411 oz，提供800V、35A、2.2 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，以及2.315mJ（关断）开关能量，该设备也可以用作TO-247[B]供应商设备包。此外，最大功率为379W，该器件提供379W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-247-3，安装方式为通孔，安装类型为通孔。该器件的最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅发射极电压为30 V，输入类型为标准，IGBT类型为NPT，沟道场截止，栅极发射极漏电流为600nA，栅极电荷为220nC，集电极脉冲Icm为105A，集电极Ic Max为94A，连续集电极电流Ic Max是94A，25℃下的连续集电极电流为94A，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极-发射器饱和电压为1.7V。
APT35GA90B是IGBT 900V 63A 290W TO-247，包括63A集流器Ic Max，它们设计用于105A集流脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于84nC，提供IGBT类型功能，如PT，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装是管，该设备提供290W功率最大，该设备具有功率MOS 8？系列，供应商设备包为TO-247[B]，开关能量为642μJ（开）、382μJ（关），25°C时的Td为12ns/104ns，测试条件为600V、18A、10 Ohm、15V，最大Vge Ic为3.1V@15V、18A，集电极-发射极击穿最大值为900V。
APT35GA90BD15是IGBT 900V 63A 290W TO247，包括管封装，它们设计用于to-247-3封装盒，供应商设备封装如数据表注释所示，用于to-247[B]，提供安装类型功能，如通孔，输入类型设计用于标准，以及PT IGBT类型，该器件还可以用作900V集电极-发射极击穿最大值。此外，栅极电荷为84nC，该器件提供642μJ（开）、382μJ（关）开关能量，该器件的集电极Ic最大值为63A，测试条件为600V、18A、10 Ohm、15V，最大Vge Ic为3.1V@15V、18A，最大功率为290W，25°C的Td为12ns/104ns，集流器脉冲Icm为105A。
