9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT80GA90S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT80GA90S参考价格为11.00000美元。Microchip Technology APT80GA90S封装/规格：IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A。您可以下载APT80GA 90S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT80GA60LD40是IGBT 600V 143A 625W TO264，包括功率MOS 8？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.373904盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于POWER MOS 8以及to-264-3、to-264AA封装盒，该设备也可以用作标准输入类型。此外，安装类型为通孔，该设备在TO-264供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，功率最大值为625W，反向恢复时间trr为22ns，集电器Ic最大值为143A，集电器发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为PT，集电器脉冲Icm为240A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，47A，开关能量为840μJ（开），751μJ（关），栅极电荷为230nC，25°C下的Td为23ns/158ns，测试条件为400V，47A、4.7 Ohm，15V，Pd功耗为625W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，集电极-发射极电压VCEO Max为600V，集电极-发射器饱和电压为2V，25℃时的连续集电极电流为143A，栅极-发射极漏电流为100nA，最大栅极-发射极电压为30V，连续集电极电压Ic Max为143A。
APT80GA60B是IGBT 600V 143A 625W TO247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.5V@15V、47A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有POWER MOS 8等商标特性，测试条件设计为在400V、47A、4.7 Ohm、15V以及23ns/158ns Td的25°C下工作，该器件还可以用作840μJ（开）、751μJ（关）开关能量。此外，供应商设备包装为TO-247[B]，该设备的最大功率为625W，该设备具有625 W的Pd功耗，包装为管式，包装箱为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极发射极电压为30V，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极发射极漏电流为100nA，栅极电荷为230nC，集电极脉冲Icm为240A，集电极Ic Max为143A，连续集电极电流Ic Max是143A，25℃下的连续集电极电流为143A，集电极-发射极电压VCEO Max为600V，集电极-发射器饱和电压为2V。
APT80GA90LD40是IGBT 900V 145A 625W TO-264，包括145A集流器Ic Max，它们设计为与239A集流脉冲Icm一起工作，栅极电荷如数据表注释所示，用于200nC，提供IGBT类型的功能，如PT，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，封装外壳为TO-264-3、TO-264AA，该器件采用管式封装，最大功率为625W，反向恢复时间trr为25ns，系列为Power MOS 8？，供应商设备包为TO-264，开关能量为1652μJ（开）、1389μJ（关），25°C时的Td为18ns/149ns，测试条件为600V、47A、4.7欧姆、15V，单位重量为1.340411盎司，最大Vge Ic的Vce为3.1V@15V、47A，集电极-发射极击穿最大值为900V。
APT80GA90B是IGBT 900V 145A 625W TO247，包括管封装，它们设计用于to-247-3封装盒，供应商设备封装如数据表注释所示，用于to-247[B]，提供安装类型功能，如通孔，安装类型设计用于通孔，以及标准输入类型，该器件也可以用作PT IGBT型。此外，集电器-发射极击穿最大值为900V，该器件提供625W最大功率，该器件具有600V、47A、4.7欧姆、15V的测试条件，最大Vge Ic上的Vce为3.1V@15V、47A，集电器脉冲Icm为239A，栅极电荷为200nC，25°C下的Td为18ns/149ns，开关能量为1652μJ（开）、1389μJ（关），集电器Ic Max为145A，单位重量为1.340411盎司。
