9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计和生产的RJH1CV7DPQ-E0#T2，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。RJH1CV7DPQ-E0#T2参考价格为5.54000美元。Renesas Electronics America Inc RJH1CV7DPQ-E0#T2封装/规格：RJH1 CV7DPQ-IGBT 1200V 70A。您可以下载RJH1CV7DPQ-E0#T2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RJH1CV6DPK-00#T0，带有引脚细节，包括管封装，设计用于to-3P-3、SC-65-3封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于to-3 P，以及290W最大功率，该设备也可以用作180ns反向恢复时间trr。此外，电流收集器Ic最大值为60A，该器件提供1200V电压收集器发射极击穿最大值，该器件具有IGBT型沟槽，最大Vge Ic上的Vce为2.6V@15V，30A，开关能量为2.3mJ（开）、1.7mJ（关），栅极电荷为105nC，25°C下的Td为46ns/125ns，测试条件为600V、30A、5欧姆、15V。
RJH1CV7DPK-00#T0，带有用户指南，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.3V@15V、35A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于600V、35A、5欧姆、15V，提供Td开-关25°C特性，如53ns/185ns，开关能量设计为3.2mJ（开）、2.5mJ（关）、，以及TO-3P供应商设备包，该设备也可以用作200ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为320W，器件采用管式封装，器件具有TO-3P-3、SC-65-3封装盒，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽，栅极电荷为166nC，集流器Ic最大值为70A。
RJH1CV5DPK-00#T0，带有电路图，包括50A集流器Ic Max，它们设计用于72nC栅极充电，IGBT类型如数据表注释所示，用于沟槽，提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-3P-3、SC-65-3封装盒，该设备也可用作管封装。此外，功率最大值为245W，该设备提供170ns反向恢复时间trr，该设备具有供应商设备包的TO-3P，开关能量为1.9mJ（开）、1.5mJ（关），25°C时的Td为42ns/105ns，测试条件为600V、25A、5 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为2.6V@15V、25A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
