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IXBT6N170

  • 描述:集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 12A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: TO-268AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.24119 20.24119
10+ 19.76827 197.68271
30+ 19.45298 583.58964
100+ 19.13770 1913.77050
  • 库存: 0
  • 单价: ¥20.24120
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.24
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 开关能量 -
  • 开通/关断延时 (25°C) -
  • 试验条件 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 最大集电极电流 (Ic) 12A
  • 最大功率 75 W
  • 最大整流电流 (Icm) 36A
  • 包装/外壳 至268-3,DPak(2根引线+接线片),TO-268AA
  • 门电荷 17 nC
  • 集电极击穿电压 1700伏
  • 供应商设备包装 TO-268AA
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 3.4V @ 15V, 6A
  • 反向恢复时长 (trr) 1.08s
  • 样式 -

IXBT6N170 产品详情

BiMOSFET是一种器件,具有MOSFET和IGBT的综合优势。非外延结构和新的制造工艺被用于使BiMOSFET获得巨大成功。由于其饱和电压和本征二极管的正向压降的正电压温度系数,这些高压器件非常适合并联操作。此外,该“自由”本征体二极管充当保护二极管,在设备关闭期间为感应负载电流提供替代路径,防止高Ldi/dt电压瞬变对设备造成损坏。

特色

  • 高阻断电压
  • 高功率密度
  • 高电流处理能力
  • 低传导损耗
  • 为简化驱动,MOS栅极开启
  • 国际标准和专有ISOPLUSTM包
优点:

  • 消除了多个串联并联的低电压、低电流率设备
  • 更简单的系统设计
  • 提高可靠性
  • 减少组件数量
  • 降低系统成本

应用

  • 雷达发射机电源
  • 雷达脉冲调制器
  • 电容器放电电路
  • 高压电源
  • 交流开关
  • 高压断路器
  • 脉冲发生器电路
  • 高压试验设备
  • 激光和X射线发生器
IXBT6N170所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IXBT6N170 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IXBT6N170价格参考¥20.241197,你可以下载 IXBT6N170中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IXBT6N170规格参数、现货库存、封装信息等信息!

艾赛斯.力特 (IXYS)

艾赛斯.力特 (IXYS)

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