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IRGSL30B60KPBF是IGBT 600V 78A 370W TO262，包括管封装，设计用于0.073511盎司单位重量的操作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供封装外壳功能，如to-262-3长引线、I2Pak、to-262AA，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-262供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为370W，该设备具有78A的集流器Ic Max，且集流器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为NPT，集流器脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2.35V@15V，30A，开关能量为350μJ（开），825μJ（关），栅极电荷为102nC，25°C时的Td为46ns/185ns，测试条件为400V、30A、10 Ohm、15V，Pd功耗为370 W，最低工作温度范围为-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.35 V，25 C时的连续集电极电流为78 A，最大栅极-发射极电流为+/-20 V。
IRGSL15B60KDPBF是TO-262封装中的600V超快10-30 kHz Copack IGBT晶体管，包括0.073511盎司单位重量，设计用于139 W Pd功耗，封装如数据表说明所示，用于管中，提供TO-262-3等封装外壳功能，安装样式设计用于通孔，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃。此外，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，该器件提供31 A的连续集电极电流Ic Max，该器件在25℃时具有31 A的持续集电极电流，配置为单体，集电极-发射极最大电压VCEO为600 V，集电极-发射极饱和电压为2.2V。
IRGSL15B60KD，带有由IR制造的电路图。IRGSL15B 60KD采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
