XPT™ IXYS的一系列分立IGBT采用极轻穿透薄晶圆技术,从而降低热阻和能量损耗。这些器件提供了低尾电流的快速切换时间,并提供了各种行业标准和专有封装。
高功率密度和低VCE(sat)
方形反向偏置安全工作区(RBSOA),达到额定击穿电压
10usec的短路能力
正导通状态电压温度系数
可选共包装Sonic FRD™ 或HiPerFRED™ 二极管
国际标准和专有高压组件
特色
- 高温能力达到+220°C
- 表面可安装
- 密封玻璃包装
- 低成本
- 优异的长期稳定性
- 非标准电阻值和公差
- 在指定温度下匹配的点
- 胶带和卷轴包装
- 热时间常数:最大5秒
- 耗散常数:1 mW/°C