经济双重™ 3 1700V双IGBT模块，采用Trench/Fieldstop IGBT4、发射极控制二极管、NTC和PressFIT接触技术。
特色
- 低电压CEsat
- T vj操作=150°C
- 标准外壳
- 紧凑型模块
- 易于和最可靠的组装
- 无需插头和电缆
- 低电感系统设计的理想选择
应用
潜在应用
FF225R17ME4_B11
- 描述:FF225R17 - IGBT MODULE
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3+ | 924.55618 | 2773.66855 |
- 库存: 36
- 单价: ¥924.55619
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,773.67
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规格参数
- 部件状态 可供货
- IGBT型 -
- 反向恢复时长 (trr) -
- 开关能量 -
- 开通/关断延时 (25°C) -
- 试验条件 -
- 集电极击穿电压 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 最大整流电流 (Icm) -
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) -
- 最大功率 -
- 输入类别 -
- 门电荷 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 样式 -
- 色彩/颜色 Yellow
FF225R17ME4_B11 产品详情
FF225R17ME4_B11 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| FF2-11-AC-03 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 种类: 簧片开关 输出类别: 数控 电源电压: 230VAC 包装/外壳: 气缸，螺纹 工作温度: -10摄氏度~55摄氏度（TA） | ¥247.39863 |
| FF2-11-DC-03 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 种类: 簧片开关 输出类别: 数控 电源电压: 30伏 包装/外壳: 气缸，螺纹 工作温度: -10摄氏度~55摄氏度（TA） | ¥941.57163 |
| FF2-10-DC-03 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 种类: 簧片开关 输出类别: 数控 电源电压: 30伏 包装/外壳: 气缸，螺纹 工作温度: -10摄氏度~55摄氏度（TA） | ¥209.58824 |
| FF2-10-AC-03 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 种类: 簧片开关 输出类别: 数控 电源电压: 230VAC 包装/外壳: 气缸，螺纹 工作温度: -10摄氏度~55摄氏度（TA） | ¥3,785.7914 |
| FF225R12ME4BDLA1 | 英飞凌 (Infineon) | FF225R12 - INSULATEDGATEBIPOLART | ¥619.19552 |
 | FF200R12KT3EHOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大功率: 1050瓦 供应商设备包装: Module | ¥701.61972 |
 | FF200R12KS4PHOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 275 A 最大功率: 1400 W 供应商设备包装: Module | ¥1,224.0501 |
 | FF225R12ME4BOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 320 A 最大功率: 1050瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,082.37898 |
 | FF200R33KF2CNOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 3300伏 最大集电极电流 (Ic): 330 A 最大功率: 2200 W 供应商设备包装: Module | ¥8,454.34745 |
| FF200R12KS4 | 英飞凌 (Infineon) | 四件套 | ¥676.28297 |
FF225R17ME4_B11所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），FF225R17ME4_B11 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FF225R17ME4_B11价格参考￥924.556185，你可以下载 FF225R17ME4_B11中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FF225R17ME4_B11规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
