9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD60R460CEATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD60R460CEATMA1参考价格为0.33000美元。Infineon Technologies IPD60R460CEATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3。您可以下载IPD60R460CEATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD60R400CEATMA1带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于IPD60R500CE SP001276022零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于CoolMOS，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为83 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为8 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为10.3A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为400m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为32nC，沟道模式为增强。
IPD60R3K3C6ATMA1带有用户指南，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.139332 oz，典型开启延迟时间设计为8 ns，以及40 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有XPD60R3系列，上升时间为10ns，Rds漏极-源极电阻为3.3欧姆，Qg栅极电荷为4.6nC，Pd功耗为18.1W，部件别名为IPD60R3K3C6 SP001117718，封装为卷筒，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为1.7 A，下降时间为60 ns，配置为单一。
IPD60R3K3C6是MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3，包括1.7 A Id连续漏极电流，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，通道数设计为1通道工作，以及to-252-3封装外壳，该装置也可以用作卷筒包装。此外，零件别名为IPD60R3K3C6BTMA1 IPD60R3 K3C6XT SP000799130，该器件提供18.1 W Pd功耗，该器件具有2.97欧姆的Rds漏极-源极电阻，系列为CoolMOS C6，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N通道，晶体管类型为1 N通道，单位重量为0.139332盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V。
