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IPD60R800CEATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 19

  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.73830
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥33.03
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.6A (Tc)
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 PG-TO252-3
  • 最大功耗 48W (Tc)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17.2 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 800毫欧姆 @ 2A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@170A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 373 pF @ 100 V
  • 样式 -

IPD60R800CEATMA1 产品详情

正向电阻™ CE适用于硬开关和软开关应用,作为现代超级结,它提供低传导和开关损耗,提高效率,并最终降低功耗。60V、650V和700V CoolMOS™ CE结合了适用于手机和平板电脑的低功耗充电器的最佳RDS(开启)和套餐。

特色

  • 典型和最大R DS之间的窄边距(开)
  • 输出电容中存储的能量减少(E oss)
  • 良好的体二极管耐用性和减少的反向恢复电荷(Q rr)
  • 优化的集成R g
  • 低传导损耗
  • 低开关损耗
  • 适用于硬开关和软开关
  • 易于控制的切换行为
  • 提高效率,从而降低功耗
  • 减少设计工作量
  • 易于使用

应用

  • 笔记本电脑和笔记本电脑适配器
  • 低功率充电器
  • 照明
  • LCD和LED电视

 

IPD60R800CEATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPD60R800CEATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPD60R800CEATMA1价格参考¥1.738296,你可以下载 IPD60R800CEATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPD60R800CEATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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