9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SFT1458-H,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SFT1458-H参考价格为0.36000美元。onsemi SFT1458-H封装/规格:MOSFET N-CH 600V 1A IPAK/TP。您可以下载SFT1458-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SFT1452-H是MOSFET NCH 10V DRIVE系列,包括SFT1452系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.139332盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于to-252-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供3 A Id连续漏极电流,器件具有250 V Vds漏极-源极击穿电压,Rds漏极源极电阻为2.4欧姆,晶体管极性为N沟道。
带有用户指南的SFT1452-TL-H,包括250 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计为以0.13932 oz单位重量运行,数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型,该N沟道提供晶体管极性特性,如N沟道,技术设计用于Si,以及SFT1452系列,该器件也可以用作2.4欧姆Rds漏极-源极电阻。此外,包装为卷轴式,该器件采用TO-252-3封装盒,该器件具有1个通道数,安装方式为SMD/SMT,Id连续漏电流为3A。
SFT1452-TL-W带有电路图,包括1个通道数量的通道,它们设计用于卷盘封装,数据表注释中显示了用于Si的技术,该Si提供晶体管极性特性,如N通道,晶体管类型设计用于1个N通道。
SFT1452-W具有EDA/CAD模型,包括Si技术,它们设计为与N沟道晶体管极性一起工作,封装如数据表注释所示,用于散装,提供晶体管类型功能,如1个N沟道,信道数设计为在1个信道中工作。