9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7700TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7700TRPBF参考价格为0.77美元。Infineon Technologies IRF7700TRPBF封装/规格：MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP。您可以下载IRF7700TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7665S2TRPBF是MOSFET 100V数字音频1 N-CH HEXFET，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供DirectFET-2等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该器件也可以用作单四漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供30 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.6 ns，上升时间为6.4 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为14.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为51mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.1ns，典型接通延迟时间为3.8ns，Qg栅极电荷为8.3nC，沟道模式为增强。
IRF7665S2TR1PBF是MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB，包括5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该装置也可以用作6.4ns上升时间。此外，Rds漏极-源极电阻为51 mOhm，器件提供8.3 nC Qg栅极电荷，器件具有15 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为DirectFET-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏极电流为14.4 a，正向跨导Min为8.8S，下降时间为3.6ns，配置为Single。
IRF7700是由IR制造的MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP。IRF7700可提供8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH20V 8.6A 8-TSSOP，P沟道20V 8.6A（Tc）1.5W（Tc，表面安装8-TSSOP）。
