久芯网

IRF7701TRPBF

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥10.19800
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.20
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10A(Ta)
  • 最大功耗 1.5W(Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 8-TSSOP
  • 包装/外壳 8-TSSOP (0.173", 4.40毫米 Width)
  • 导通电阻 Rds(ON) 11毫欧姆@10A,4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5050 pF @ 10 V
  • 样式 -

IRF7701TRPBF 产品详情

IRF7701TRPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF7701TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF7701TRPBF价格参考¥10.198003,你可以下载 IRF7701TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF7701TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部