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NTTFS4H05NTWG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22.4A (Ta), 94A (Tc) 最大功耗: 2.66W (Ta), 46.3W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 507

  • 库存: 219180
  • 单价: ¥4.27331
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,166.57
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 8-WDFN (3.3x3.3)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18.9 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.3毫欧姆@30A,10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 22.4A (Ta), 94A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds "1205 pf @ 12 V"
  • 最大功耗 2.66W (Ta), 46.3W (Tc)
  • 色彩/颜色 Yellow

NTTFS4H05NTWG 产品详情

功率MOSFET25V,66A,单N−通道,µ8FL

特色

  • 优化设计以最小化传导和开关损耗
  • 优化封装以最小化寄生电感
  • 优化材料,提高热性能
  • 符合RoHS

应用

  • 高性能DC-DC转换器
  • 负载点
  • 系统电压轨
  • 网通、电信
  • 服务器
NTTFS4H05NTWG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTTFS4H05NTWG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTTFS4H05NTWG价格参考¥4.273311,你可以下载 NTTFS4H05NTWG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTTFS4H05NTWG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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